霍爾效應說的是當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會產生電位差的現象，兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U,其表達式為：
U=KIB/d
式中,K為霍爾系數,I為薄片中通過的電流,B為外加磁場的磁感應強度,d是薄片的厚度。
霍爾開關屬于有源磁電轉換器件,它是在霍爾效應原理的基礎上,利用集成封裝和組裝工藝制作而成,可方便的把磁輸入信號轉換成實際應用中的電信號,同時,又可滿足工業場合實際應用中易操作和可靠性的要求。
在外磁場的作用下，當磁感應強度超過導通閾值BOP 時，霍爾電路輸出管導通，輸出低電平。之后B 再增加，電路仍保持導通態。若外加磁場的B 值降低到BRP 時，輸出管截止，輸出高電平。我們稱BOP 為工作點，BRP為釋放點，BOP-BRP=BH 稱為回差。回差的存在使開關電路的抗干擾能力增強。
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